通用电气又被窃取商业机密 美华裔工程师认罪(图)
美国通用电气（GE）全球研究部一名华裔工程师，周四（5月28日）在纽约北区联邦法庭承认窃取该公司商业机密罪名。（图片来源：Getty Images）
【看中国2020年5月31日讯】（看中国记者文可伊综合报导）美国通用电气（GE）全球研究部一名华裔工程师，周四（5月28日）在纽约北区联邦法庭承认窃取该公司商业机密罪名，将面临最高10年的监禁、最高25万美元罚款。
据The Daily Gazette报导，有关42岁的半导体工程师隋杨（Yang Sui，人名音译），在庭上承认于2015年至2017年期间，从GE窃取了多个与“碳化矽”（MOSFET）的研究、设计和制造相关的电子文件。
此案由纽约北区联邦法院法官Mae A.D’Agostino主审，他预计在今年9月22日对隋杨判刑。
据知，有关案件是由美国联邦调查局（FBI）展开调查，后由联邦助理检察官和国家安全部审判律师起诉。
一旦“窃取商业机密罪”罪名成立，隋杨可能面临最高10年的监禁、最高25万美元或犯罪所得金钱收益两倍的罚款之外，以及刑满后最高三年监督释放。
“碳化矽”（MOSFET）是一种金属氧化物半导体场效应晶体管，可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。
报导引述起诉书，隋杨窃取的“碳化硅MOSFET”是GE用于各种零件和产品，包括航空设备和风力涡轮机。
据《世界日报》转述，有媒体在领英网（LinkedIn）搜寻到“Yang Sui”的个人资料，根据个人页面信息，隋杨在哈尔滨一所高中毕业后，1996年考上清华大学攻读材料科学，过后来到美国的爱荷华州立大学（Iowa State University）和普度大学（Purdue University）攻读硕士和博士学位。
隋杨本身填写在修读博士期间，曾出任普度大学中国学生学者联谊会副会长；从2010年10月至2018年1月，他在位于纽约上州尼什卡纳（Niskayuna）的通用集团全球研发中心担任半导体装置工程师。
通用电气并非首次被旗下的华裔工程师窃取商业机密；隋杨案件是该公司近年来被揭露的商业秘密盗窃案之一。
在2014年，来自中国的电脑软件工程师谢军（Jun Xie，人名音译），被控盗窃GE旗下医疗集团（GE Healthcare）的商业机密。
用H-1B工作签证在美国工作谢军，当时窃取了GE Healthcare 1.4 GB或240万笔信息文件，包括工程设计、产品测试信息和业务战略，私自发送给中国的亲戚。谢军被定罪后即被递解出境。
2018年，相信出身于中共推动的“千人计划”专才的工程师郑小清（Xiaoqing Zheng），也是在纽约上州尼什卡纳镇被捕。
案发时，郑小清在GE动力及水能（GE Power&Water）服务期间，用“隐写术”窃取含有天然气与蒸气涡轮科技设计模型、工程图及其它细节的电子档，并将这些档案寄给位于中国的商人张照曦（Zhaoxi Zhang，人名音译）。
美国联邦调查局过后发现郑小清拥有中美双重国籍。众所周知，中国是不允许公民拥有双重国籍，郑小清为何在取得美籍后，还可以继续保留中国公民身份的原因，目前仍然未知。
郑小清案件仍在审理中，纽约北区联邦法庭定于今年9月21日遴选陪审团审理此案。