中国应对贸易制裁囤积美国芯片 从海外挖角

【看中国2019年12月6日讯】为了应对贸易战与科技制裁，中国据报开始囤积美国进口芯片，并高薪从海外挖角，试图建立自己的芯片制造产业。

彭博新闻社援引最新的官方统计数据说，中国过去三年来从美国进口的半导体、集成电路与芯片制造设备急剧增加。尽管美中爆发贸易战，中国今年8月依然从美国进口价值将近17亿美元的芯片和相关设备，达到2017年初以来的最高额度，而且10月份的进口再次逼近这个水平。

报道说，华为公司和杭州的海康威视自从被列入美国商务部出口管制实体清单之后，都增加了美国芯片的进口。海康威视今年10月表示，已经囤积了足够的关键部件，可以支撑一段时间的运营。

动态随机存取记忆体（DRAM）

中国同时加大国内芯片产业的投资。今年10月，政府正式成立总额290亿美元的国家支持的新的基金，投资芯片产业，扶植以清华紫光为龙头的中国半导体产业。但中国在高性能半导体芯片和图像处理芯片等关键领域依然落后于美国等西方国家。

动态随机存取记忆体（简称DRAM）就一直是中国芯片产业的软肋，原因是中国缺乏DRAM的生产经验、技术和知识产权，而且清华紫光之前在南京与成都设置DRAM研制基地都没有成功，一度被视为中国DRAM制造商的福建晋华集成电路也因剽窃美国的知识产权而在2018年10月被美国商务部列入出口管制实体清单，现在几乎破产。目前唯一的希望就是长鑫存储技术有限公司。

电子工程网站EETimes 12月3日说，长鑫存储技术公司在安徽合肥建立了DRAM工厂和研发设施，目前晶片的月产量已达2万。公司今年秋季使用19纳米的处理技术，已经开始生产LPDDR4, DDR4 8Gbit的DRAM晶片产品。

高薪挖角

为了弥补人才不足，长鑫存储技术公司开始从海外招募人才，合肥的工厂现有3千名雇员中70%都是工程师和技术人员，其中很多都来自韩国和台湾。长鑫还从全球第二大DRAM制造商、德国的奇梦达（Qimonda）公司挖角，后者发明叠层电容器（stack capacitor）的副总裁屈斯特尔斯（Karl Heinz Kuesters）也以顾问的身份效力长鑫，而长鑫就是利用叠层电容器技术进行晶片生产的。物件分析公司（Object Analysis）首席分析师汉迪（Jim Handy）就此对电子工程网站评价说，长鑫“基本是奇梦达在中国的设计中心，只是由于地方政府的资助而拥有一个崭新的工厂”，因此“他们能够使用奇梦达的所有知识产权。这让他们比中国其他DRAM 和闪存芯片（NAND）的新兴制造商处于更有利的位置”。

台湾《商业周刊》近日报道，由于中国半导体产业开出的高薪，台湾半导体产业已经有3千多名工程师前往大陆任职。现被列为全球第五大晶片制造商的上海中芯国际就有一百名工程师来自台湾的台积电，台湾DRAM产业教父高启全也在2015年加盟清华紫光，负责DRAM的研发。

后起的不足

但半导体研究机构IC Insights负责市场研究的副总裁马塔斯（Brian Matas）在电子工程网站指出，尽管拥有政府的扶植，中国晶片产业的后起之秀很难跟上科技时代的快速步伐。他说，“我们认为中国的DRAM生产不会很容易，也不像经常报道的那样发展迅速。缺乏经验技术和知识产权肯定是两大障碍”。他认为“一个暴发公司（或国家）很难从零开始跻身DRAM产业，对三星、SK 海力士（Hynix）和美光科技（Micron）构成挑战而且并驾齐驱。后三家巨头沿着技术曲线继续发展他们的DRAM设备，将让中国失去在DRAM生产上取得的任何进展或让这种进展落后”。马塔斯得出的结论是，“中国要想生产出在密度、性能和价值上具有竞争优势的DRAM设备极端困难。批量交付DRAM设备也是一个挑战，因为拿到能够生产此类设备的机器难度很高，可能相当于冷战时期”。

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