戳破習近平稱半導體行業「卡不住」的世紀謊言(組圖)

習近平的科技豪言與現實枷鎖有巨大反差。（圖片來源：公有領域 Pixabay）

【看中國2025年12月18日訊】（看中國記者翁友德綜合報導）2025年，全球半導體產業的技術競賽已進入白熱化階段，製程微縮不斷刷新極限。在這個科技決定國運的時代，中共最高領導人習近平在中央經濟工作會議上公開宣稱，中國的科技創新成果證明「對我們『卡脖子』是卡不住的」，並強調在貿易戰中「打出了中國人的志氣骨氣底氣，彰顯了我們的硬核實力」。然而，這番話在極度依賴全球頂尖設備與關鍵材料的半導體領域，卻與中國晶圓代工龍頭中芯國際所面臨的殘酷現實形成了巨大的、甚至是諷刺性的反差。

事實證明，一場由EUV微影設備和日本高階半導體材料構築的技術絞索，正緊緊勒住中國半導體產業的咽喉。這場看不見硝煙的科技戰，正從根本上挑戰中共「舉國體制」下追求的「自主可控」神話，並將其技術瓶頸與高昂成本無情地反映在企業的利潤表與客戶的良率上。

一、EUV微影設備的「光刻天塹」：中芯的技術瓶頸與無效追趕

先進半導體製造的核心瓶頸，首推荷蘭ASML公司獨家掌握的極紫外光（EUV）微影設備。由於美國對先進製程設備的嚴格出口管制，中芯國際至今無法取得EUV，這直接導致其在技術世代上與全球領先者拉開了巨大的差距。

1.DUV多重曝光的權宜之計

由於無法取得EUV設備，中芯被迫以現有的深紫外光（DUV）曝光機，搭配多重曝光（multi-patterning）的方式推進製程，試圖達到7奈米（N+2）的精細度。

1.1.DUV曝光波長為193nm，遠大於EUV的13.5nm。要用長波長光刻出極細的7奈米線寬，就必須將原本可由EUV一次完成的複雜電路圖案，拆分為多次曝光、多次蝕刻的繁瑣步驟。

1.2.這種做法不僅顯著拉長了製程時間（Cycle Time），也同步提高了單位的製造成本。更為關鍵的是，每增加一次曝光和蝕刻步驟，就增加了一次引入缺陷（Defect）的風險，對良率（Yield Rate）控制造成致命性壓力。

2.殘酷的良率現實與經濟不可行性

技術上的無奈，直接反映在產能的經濟性上。市場普遍估計，中芯國際7奈米製程在2024年的良率約接近40%。

2.1.業界普遍認為，至少需達到約60%的良率，先進製程才具備大規模量產的經濟可行性。40%的良率意味著每片晶圓中，就有60%晶片因缺陷而報廢。

2.2.結果是，中芯7奈米產線至今仍面臨良率偏低與可靠性不足的問題，產量難以穩定拉升。在巨大的資本支出和低效能的製程下，先進製程在經濟帳上始終「算不過來」，成為侵蝕獲利的成本黑洞。

3.技術落差在利潤表上的放大效應

這種技術與製程能力的巨大差距，並非抽象概念，而是直接反映在企業的獲利結構之中。

3.1.根據最新財報對比，2024年台積電毛利率高達56.1%，淨利率達40.5%，顯示其在先進製程上的效率與定價能力依然強勁。

3.2.相較之下，中芯國際2024年毛利率僅18.1%，淨利率驟降至6.1%，遠低於2023年的14.3%。這與中芯承接華為7奈米晶片訂單，在良率偏低、製程高度複雜的情況下，持續受到成本壓力侵蝕獲利空間高度相關。

3.3.在2025年這個時間點，當台積電已準備為蘋果與輝達等客戶量產2奈米製程晶片、技術世代再向前推進約三個節點時，中國仍在為7奈米製程的經濟性與穩定性反覆拉鋸。中芯的表現，更像是一家在高資本支出與低效率製程雙重夾擊下勉力支撐的重資產製造商，其營收成長，掩蓋不了結構性的利潤差距。

二、EUV曝光機難做的世紀挑戰 ASML為何稱霸市場？

為什麼EUV曝光機成為中國半導體產業無法繞開的「卡脖子」技術？其製造難度之高，集合了當今人類科技的數十年積累與數百億美元的研發投入。

1.極致複雜的技術集合體

EUV曝光機之所以難以複製，在於它是一個極度複雜、涉及多個尖端領域的系統工程：

1.1.極紫外光（EUV）光源的產生：EUV光波長為13.5nm，極難產生。它需要高功率的二氧化碳雷射，以每秒五萬次的頻率，轟擊微小的錫（Tin）液滴。錫液滴被雷射擊中瞬間等離子化，從而發出EUV光。這項精密的光源技術壁壘極高，已被ASML與其夥伴壟斷。

1.2.全反射光學系統：在13.5nm波長下，光線會被任何玻璃鏡片吸收。因此，EUV光不能穿透，而必須依賴由40至80層釕（Ruthenium）與鉬（Molybdenum）交替組成的多層反射鏡來反射。這些反射鏡的表面精度要求極致，誤差需小於一個原子層。

1.3.高真空環境與精密控制：EUV光會被空氣吸收，因此整個光路系統必須在超高真空環境下運行。同時，極度精密的測量與控制系統（例如來自美國的關鍵零組件）必須確保鏡片與晶圓台的定位精度誤差極小。

2.時間、資金與全球供應鏈的護城河

ASML之所以能稱霸市場，並非單一技術的突破，而是數十年持續投入和全球化整合的結果。

2.1.巨額投入與長期積累：ASML從65nm到3nm以下製程的EUV技術，投入了超過20年、超過400億美元的研發與資本支出。這種高成本、高風險、且沒有人敢保證會成功的初期開發，建立了極高的進入壁壘。

2.2.全球化供應鏈的管理：ASML實際上是全球頂尖技術的整合者。它精準管理著全球數千家頂尖供應商，確保德國蔡司（ZEISS）的光學鏡組、美國供應的關鍵零組件等，都能完美整合。這種極度複雜的全球供應鏈是中國短時間內無法複製的。

3.製程限制與國產設備的巨大差距

由於無法取得先進EUV設備，中國企業目前最高只能達到7奈米製程（且良率極低）。中國現有國產曝光機技術水平約停留在65奈米，遠落後於國際大廠。因此，曝光機無疑是中國半導體產業的「卡脖子」核心技術，短期內難以突破，嚴重限制了其在高端晶片製造上的能力。

三、良率不佳的惡果：客戶的損失與AI晶片業務的腰斬

中芯國際在政策驅動下硬上7奈米製程，其低良率與可靠性問題，直接導致中國本土晶片設計客戶承受巨大損失。

1.寒武紀科技與華為的良率之痛

先進製程的良率不足，導致中國主要的AI和手機晶片設計商面臨成本失控與產品性能受限的窘境。

1.1.據報導，中國AI晶片設計商寒武紀科技生產旗下最強大處理器的良率，只有大約20%。如此低良率意味著每生產100顆晶片，就有80顆被浪費，對其成本結構和商業化能力構成毀滅性打擊。

1.2.加拿大研究機構TechInsights在報告中示警，中芯為取得成果，付出了很多成本代價。這證實了中芯試圖追趕先進製程的努力，在經濟上是極度不合理的。

1.3.華為作為中芯的最大客戶，其Ascend系列AI晶片的生產同樣受困。摩根士丹利報告顯示，中芯今年生產的華為Ascend系列AI晶片良率僅約30%。

2.AI晶片收入預估的斷崖式腰斬

低良率直接導致中芯AI晶片業務的收入展望被大幅下修。

2.1.摩根士丹利最新修正的財測數據顯示，原先預估中芯在2025至2027年AI GPU晶片收入可分別達到146,107萬、212,023萬、286,567萬人民幣。

2.2.但最新修正後僅剩58,457萬、94,087萬、136,082萬人民幣，預估收入幾乎砍半。這不僅是對中芯，也是對整個中國AI晶片產業野心的一次重大挫折。

3.終端產品的性能與技術代差

良率瓶頸導致華為在終端產品上的競爭力持續落後。

3.1.華為即將推出的「Mate 80」旗艦智慧型手機，其核心行動處理器（AP）的量產製程傳出受阻，恐將繼續採用7奈米製程技術，而非先前預期的5奈米。

3.2.業界關係人士指出，華為手機處理器受困7奈米，其性能水準與高通（Qualcomm）三年前的Snapdragon系列晶片相類似，與當前全球領導廠商蘋果、三星已搭載的3奈米，甚至準備量產的2奈米製程相比，存在約三年的技術水準差距。

3.3.儘管華為試圖透過優化手機設計與製程本身來彌補，但半導體業內人士警告，製程技術的差距依然明顯，如果華為在5奈米製程量產上持續遭遇困難，其智慧型手機的性能差距可能會進一步擴大，對其硬體競爭力構成了嚴峻的挑戰。

四、日本的「戰略核武器」：關鍵半導體材料的致命依賴

如果EUV曝光機是硬體的「卡脖子」，那麼日本在半導體材料和化學品上的控制力，則是另一把隨時可能落下的利刃。中國半導體產業對日本製品的依賴程度之高，一旦禁運，其衝擊將是立即、全面且致命的。

1.光阻劑：中國晶片的生命線與日本的絕對壟斷

光阻劑（Photoresists，或稱光刻膠）是半導體製造過程中，如同「照相機膠卷」一樣不可或缺的關鍵耗材。

1.1.絕對的市場霸主：全球五大光刻膠生產商中，日本獨占四家（JSR、東京應化、信越化學和富士膠片），壟斷了全球92%的市場。在最高端的EUV光阻劑領域，日本的市占率更高達95%以上。

1.2.中國的高度依賴：在中國所有的晶片生產線裡，國產光刻膠的占比不到15%，超八成依賴進口，對日本的進口依賴達到64.3%。

1.3.越是先進的芯片，對日本的依賴程度就越高。目前中國國內最先進的芯片生產線，例如中芯國際和華虹半導體所使用的高端氟化氬（ArF）DUV光阻劑，幾乎百分之百依賴日本供應。

2.禁運的衝擊與時間線

高階光阻劑不同於硬體設備，其保存期限僅3至6個月，極難囤貨。日本一旦限制出口，將造成中國半導體產業的立即性危機。

2.1.立即衝擊（0～3個月）：中芯國際、華虹半導體、長江存儲、長鑫存儲等中國大型晶圓廠的先進工藝產線可能會被迫縮減產量，甚至可能在一個月內完全停產。先進製程良率將會急劇下降，少量庫存會迅速被耗盡。

2.2.歷史警示：早在2021年，信越化學因生產限制暫停向中國供貨時，中芯國際的效率就曾一度下降兩成。

2.3.產業預估：根據業內預估，如果日本全面斷供光刻膠，中國14奈米以下先进制程將全線停擺，整體晶片產能預計暴跌三成到五成。

3.全方位的依賴：其他關鍵日本製品

除了光阻劑，中國半導體產業對日本的依賴是全方位的，涵蓋了設備、化學品和氣體：

3.1.半導體製造設備：儘管ASML的曝光機最受關注，但在蝕刻機、沉積設備、清洗機、檢測機等環節，日本的Tokyo Electron(TEL)、SCREEN、Nikon等公司仍占據重要地位。中國大型晶圓廠對高階機台、零件與原廠售後服務的依賴度極高，一旦斷供，新廠擴建將立即停擺，既有機台維修備件短缺將導致產能與良率下降。

3.2.超高純度氟化氫（HF）與關鍵化學品：日本公司在超高純度化學品領域具有極強優勢。高純度氟化氫是晶圓製程中進行清洗和蝕刻的關鍵材料，其高純度等級與穩定供應很難在短期內被大量替代。斷供將導致製程清洗/蝕刻中斷，良率崩壞，對所有晶圓廠造成非常緊張的衝擊。

3.3.光罩與超高純度氣體：在光罩（Mask）的上游材料與加工、以及半導體用超高純度氣體（如Kr、Xe、Ar等）方面，日系與全球大廠亦擁有領先地位。斷供將立即損害製程穩定性與良率。

南韓三星集團實際決策者、副會長李在鎔曾連夜飛赴東京「跪求」出貨。（圖片來源：Getty Images）

五、日韓貿易戰的歷史回顧：李在鎔的「連夜赴日」

日本對半導體材料的管制並非新鮮事，早在2019年，日韓貿易戰就充分展示了日本「材料核武器」的巨大威脅與殺傷力。

1.2019年日本對韓國的制裁

2019年，日韓兩國因二戰強制勞動賠償問題關係惡化，日本政府果斷採取了反制措施，於7月4日起加強管制氟化聚醯亞胺、光阻劑及蝕刻氣體（氟化氫）三項關鍵電子材料對南韓的出口門檻。

1.1.核心原料的壟斷地位：日本是這三種限令原料的主要輸出國，氟化聚醯亞胺與氟化氫約占全球9成的產量，光阻劑也占有7成。

1.2.材料的難以儲存性：這些高階材料難以大量儲存，如氟化氫具有腐蝕性與劇毒、光阻劑則保存期限短，品質很快就會劣化。這種特性讓制裁的衝擊具有立即性。

2.三星的危機與李在鎔的對策

日本的禁令直接衝擊了韓國的半導體與顯示技術產業，特別是三星、SK海力士與LG等巨頭。

2.1.當時，南韓三星電子的含氟聚醯亞胺庫存量僅約一個月。如果調度太遲，半導體工廠將面臨被迫減產甚至停工的風險。

2.2.為了避免這場滅頂之災，南韓三星集團實際決策者、副會長李在鎔連夜飛赴東京，與有生意往來的日本材料廠商主管會面，商討對策，幾乎是以「跪求」的方式尋求日本從其他海外工廠出貨到南韓。

3.韓國的教訓與產業的脆弱性

日韓貿易戰的衝擊，導致韓國綜合股指大跌，韓國經濟研究院試算，日本的管制措施將造成韓國GDP減少2.2%，對韓國中小企業的調查顯示，有59%表示恐難撐過六個月。

3.1.儘管這場危機喚醒了韓國的警覺意識，但三年過去，《日經亞洲》評論指出，韓國在氟化氫、光阻劑等半導體原料上，依舊沒能擺脫對日本的深層依賴。

3.2.這段歷史充分證明，在半導體製造的關鍵環節，技術和材料的壁壘是難以透過短期政策與資金投入來逾越的。

六、結論：卡不住的世紀豪言與難以迴避的審判

當前中國半導體產業的困境，絕非單純的技術落後問題，它是一場中共體制與全球自由科技體系的本質衝突，最終導向的將是對中共「舉國體制」下「自主可控」神話的一次沉重審判。

1.技術鐵幕正在落下 經濟規律成為最大敵人

習近平稱「卡不住」的豪言，掩蓋不了中國半導體產業已陷入「技術瓶頸—成本飆升—良率不佳—利潤被侵蝕」惡性循環的殘酷現實。中芯國際透過DUV多重曝光強行推進7奈米製程的嘗試，已證明是一個在經濟上難以持續的「面子工程」。低至40%的良率、6.1%的淨利率，以及華為等重要客戶AI晶片訂單收入的腰斬，表明這場技術追趕已淪為侵蝕國家資源的巨大成本黑洞。這充分暴露了政治決策凌駕於市場與技術規律的後果，使得中國晶片在與競爭對手高達三代的技術差距面前，顯得疲憊不堪。中共的「硬核實力」，在ASML與台積電的財報數據面前，如同泡沫般脆弱。

2.日本「材料核武」的威脅 暴露中國產業鏈的極度脆弱性

中國對日本高階光阻劑與氟化氫等關鍵材料的極端依賴，是產業鏈上最致命的弱點。日本在2019年對韓國的成功制裁，已清晰演示了這種「精準打擊」的巨大殺傷力。光阻劑與氟化氫如同晶圓生產的血液，一旦被切斷，中國最先進的晶圓生產線將在一個月內面臨停擺的危機。這證明了中共在戰略物資上的對外依賴是結構性的，其所謂的「自主可控」在現實考驗面前，如同沙灘上的城堡，不堪一擊。

3.科技脫鉤的不可逆轉 最終導致「無效投資」的泡沫化

在無法取得尖端設備和材料的前提下，中共「大基金」第三期的鉅額注資，極有可能演變為下一波無效投資的泡沫。正如習近平自己也承認的「形象工程、政績工程」、「數字注水」，半導體產業的困境，是中共體制下脫離實際、急躁冒進的縮影。在無法跨越EUV與材料壁壘的情況下，再多的資金，也無法讓低良率的7奈米晶片在國際市場上與3奈米、2奈米競爭。這場科技脫鉤的進程是不可逆轉的，它正在加速中國本土AI晶片與智慧型手機的性能與市場競爭力持續落後，終讓中共口口聲聲說的所謂的「硬核實力」在國際社會的審視中，淪為一個充滿水份與政治宣傳的笑柄。中共的半導體美夢，在缺乏核心科技與關鍵材料的支撐下，註定是一場建立在沙灘上的工程，隨時可能被一場突如其來的「禁運風暴」徹底摧毀。