中国半导体版曼哈顿计划曝光 析举国体制要害 (图)
2024年3月27日荷兰费尔德霍芬的照片显示了荷兰科技巨擘ASML的货柜。ASML是半导体产业芯片制造设备的供应商，也是全球领先的尖端半导体芯片制造设备制造商之一。(ROB ENGELAAR/ANP/AFP via Getty Images)
【看中国2025年12月23日讯】（看中国记者金言综合报道）2025年岁末之际，路透社一篇深度调查报道揭开了中国在极紫外（EUV）光刻机领域的秘密进展，曝光这一高度机密的“中国半导体版曼哈顿计划”。自媒体大V、时评人文昭剖析了这一突破的本质。他认为，这一项目虽展现了强大的短期冲刺能力，却难以掩饰其在伦理边界、技术可持续性以及商业盈利模式上的结构性缺陷。时评人兰述与马克将此事定性为中共对西方发起的“全方位国家性技术战争”，强调中共已完全抛弃国际规则，转向一种不择手段的超限战策略，这令西方基于公平与共赢的竞争体系彻底失防。
原型机曝光：从保密到全球震动
报道披露，在深圳一处戒备森严、对外严密封锁的实验室中，中国科研团队已于2025年初成功组装出一台EUV光刻机原型机。该设备体积庞大，几乎占据整个厂房空间，目前处于高压测试阶段，已实现极紫外光的稳定产生与系统初步运行，但距离蚀刻出可实际应用的半导体芯片仍有距离。
这一原型机的核心技术路径，主要依赖一批从荷兰阿斯麦（ASML）离职或退休的华裔高级工程师，通过对现有成熟技术的逆向工程而逐步实现。ASML作为全球唯一掌握商用EUV技术的企业，其发展历程堪称艰辛：从2001年首台实验原型，到2019年实现稳定量产，历经近二十年漫长迭代，并耗费数十亿欧元巨额研发投入。
文昭指出，中国起步虽晚，却受益于商用EUV技术的既有积累，并非从纯理论空白起步。若能在关键光学系统与光源稳定性上取得实质性进展，从原型验证到成熟商用的周期有望显著压缩。
中美博弈的核心：差距与追赶的较量
这一事件的核心在于中美半导体设备的战略对峙。美国长期将维持对中国芯片制造能力至少十年的技术领先，作为国家安全与经济霸权的底线；而中国则以高度紧迫感全力追赶，视其为打破“卡脖子”封锁的生死攸关之战。
据世界半导体贸易统计组织（WSTS）预测，2025年全球半导体市场规模将超过7000亿美元，其中7纳米及以下先进制程芯片占比已逾40%，并正加速向人工智能、汽车电子与高端消费数码等领域渗透。中国当前主力制程仍徘徊在28纳米以上，虽在中低端市场占有可观份额，但若缺乏高端突破，将难以在需要海量算力的AI竞赛中长久立足。
习近平将半导体自给自足提升至国家最高优先级，并亲自指挥部署，正是这一战略焦虑的集中体现。兰述与马克进一步强调，中共的战略思维已演变为典型的“零和战争模式”：视国际竞争为你死我活的生存搏杀，而西方仍囿于传统的“规则内共赢”范式。这种认知鸿沟，使得规则与公平竞争对中共毫无约束力，唯有以冷战时期对苏联的高度警惕，方能有效应对。
“挖、偷、拆、买”：多维策略下的技术获取
该项目自2019年起正式启动，由习近平亲信、中央科学技术委员会主任丁薛祥直接挂帅（该委员会改制后直属总书记），华为负责协调全国数千名工程师，资源供给近乎无限。内部人士将其比喻为“中国版的曼哈顿计划”，最终目标是以完全国产设备制造先进芯片，并将美国彻底排除在中国供应链之外。
文昭将中国攻克难关的路径精炼为“挖、偷、拆、买”四种策略，每一种都蕴含深刻的逻辑与潜在代价。
“挖人才”：以高额签约奖金（300万至500万元人民币）、购房补贴乃至允许双重国籍等优厚条件，重点招募ASML华裔资深工程师，并为其配备假名与假身份证。路透社特别提及林楠，其团队在中科院上海光学研究所仅用18个月即申请8项EUV光源相关专利。兰述与马克补充，这种挖角往往辅以对亲人的胁迫，这是西方伦理与法律无法想象的阴险手段。
“偷技术”：这些工程师携带有ASML核心机密，严重违反保密协议。ASML曾赢得对一名前中国工程师的8.45亿美元赔偿判决，却因被告破产并获中国官方庇护而执行落空。兰述与马克视华为为此类行动的主导者，其行为已具备高度侵略性与国家间谍特征。
“拆旧机”：项目组建约百名应届大学毕业生团队，从国际二手拍卖平台（如阿里巴巴拍卖，最近一例发生在2025年10月）获取旧款ASML设备，反复拆装并以摄像头全程记录。此举旨在逆向还原原设计者的深层思维逻辑。
“买二手”：通过中介公司掩盖真实身份，从全球二手市场采购ASML供应商零部件，甚至包括日本尼康与佳能的出口受限组件。
关键瓶颈：光源、光学与生态的严峻挑战
技术攻坚中最严峻的关卡，当属光源功率与精密光学系统。兰述与马克详细剖析：EUV光源需高强度激光每秒轰击熔融锡滴5万次，产生高达20万摄氏度的等离子体。中国哈尔滨工业大学采用LPP模式已达约100瓦功率，仅相当于ASML当前600-700瓦水平的六分之一，且后续过滤过程会导致进一步功率衰减。ASML预计未来三年内将突破1000瓦以上。
光学反射镜几乎由德国蔡司独家垄断，每镜由40层纳米级涂层精密构成，工艺极端复杂。中国长春光机所虽取得初步进展，使原型于2025年初实现光源集成，但镜面锡碎片污染、热变形与能量损耗等问题仍亟待解决。原型机体积远超ASML标准规格，虽足以支撑测试，却显粗糙与初级。
在实际应用层面，即使硬件成熟，光刻机仍需与下游晶圆代工厂深度绑定，形成实时反馈与迭代机制。台积电独家实现2-3纳米量产，正是凭借其独特know-how。中国若欲复制，难度极大。此外，工业设计软件（EDA）领域，美国企业占据绝对垄断，中国自研仅能应对低端设计，7纳米以下亿级晶体管布局与错误校验仍高度依赖美国。
“示威性突破”：短期效应与长远隐忧
文昭的核心观察在于，此次突破的战略价值，首先体现为“稳定技术差距、防止进一步拉大”。预计2030年实现可用芯片，仍落后ASML约十年。原型被西方媒体提前曝光，削弱了原本可带来的全民士气提振效应，中国或将提前高调官宣“打破美国卡脖子”。
他提醒，这很可能是一种“示威性技术宣示”——通过高调宣传引发西方市场恐慌、股价波动，迫使企业妥协合作，此招曾在军工领域屡试不爽。但西方政府可通过研发补贴、大额订单等方式迅速稳定市场情绪。自由市场体制虽短期易受非理性影响，却在原则上优于举国体制；现实应对需灵活变通，避免陷入“思想洁癖”。
兰述与马克则发出严峻警示：中共此路类似苏联“走火入魔”，对抗全球最终或自陷经济拖垮。通过抄袭与窃取虽能短期跨越壁垒，却省略了基础科研的艰辛积累，导致底层薄弱——高端医疗设备如核磁共振国产化率长期低迷，便是明证。
大规模量产是更深层的隐忧。ASML累计交付数千台设备，仰赖高度国际化的供应链体系。中国若欲实现百台以上稳定生产，仅有两条路径：全面自给（效率低下）或维持良好国际关系（当前地缘环境极难）。文昭直指要害，举国体制擅长解决“从无到有”的存在性问题，却难以保障长期商业盈利与市场竞争力。
警醒西方
文昭、兰述与马克的观点高度契合，即中国EUV原型机的问世，既彰显了举国体制的强大执行力与战略雄心，又暴露了手段的伦理风险、技术链的脆弱环节以及模式的长远局限。这一事件无疑将进一步白热化中美半导体竞争，芯片已成为潜在战争动力的核心要素。
西方若欲有效应对，必须摒弃幻想，以高度紧迫感强化警惕、人才保护、联合研发与风险分担。2026年中国或将有重大官方宣布，但真正成效仍需经受时间与市场的严苛检验。